Detector semiconductor para neutrones térmicos
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| লেখক: | , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | artículo original |
| বর্তমান অবস্থা: | Versión publicada |
| প্রকাশনার তারিখ: | 2016 |
| বিবরন: | Se describe la tecnología de fabricación de detectores de neutrones térmicos con base en detectores de Silicio de barrera superficial con convertidor de 6LiF, así como se realiza el análisis de sus parámetros fundamentales. La medición de la resolución energética e intensidad de conteo se realiza con una fuente de neutrones de Am-Be con salida de 6,6.106 neutrones/seg, de una energía máxima de 10 MeV y energía promedio de 4,9MeV. Los neutrones térmicos se obtuvieron por medio de la moderación en una capa de parafina de 4 cm de grosor. |
| দেশ: | RepositorioTEC |
| প্রতিষ্ঠান: | Instituto Tecnológico de Costa Rica |
| Repositorio: | RepositorioTEC |
| ভাষা: | Español |
| OAI Identifier: | oai:repositoriotec.tec.ac.cr:2238/8574 |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2846 |
| Access Level: | acceso abierto |