Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN
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著者: | , , |
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フォーマット: | artículo original |
状態: | Versión publicada |
出版日付: | 2016 |
その他の書誌記述: | Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición. |
国: | RepositorioTEC |
機関: | Instituto Tecnológico de Costa Rica |
Repositorio: | RepositorioTEC |
言語: | Español |
OAI Identifier: | oai:repositoriotec.tec.ac.cr:2238/8739 |
オンライン・アクセス: | https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855 |
Access Level: | acceso abierto |