Tecnología de fabricación de detector de Silicio-Litio con juntura superficial
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| 著者: | , , |
|---|---|
| フォーマット: | artículo original |
| 状態: | Versión publicada |
| 出版日付: | 2016 |
| その他の書誌記述: | Los sensores de radiaciones nucleares con base en Silicio, transforman la carga producida dentro de este semiconductor, producto de la incidencia de partículas y rayos X, en pulsos de voltaje a la salida del preamplificador. El detector planar de Silicio-Litio con juntura superficial es básicamente un diodo de estructura PIN. Por medio de la difusión y deriva del Litio en el Silicio, se crea la zona compensada, donde interactúan las radiaciones incidentes, produciendo una señal eléctrica proporcional a la energía depositada en el detector. El proceso tecnológico comprende diferentes etapas, algunas de ellas complejas y de larga duración, las cuales exigen además un control sistemático.Se realizó la puesta a punto del proceso tecnológico de fabricación de detectores de este tipo, caracterizándose eléctricamente en los diferentes pasos. Un dispositivo fue encapsulado y montado dentro de un criostato para trabajar a temperatura del nitrógeno líquido. El detector fue evaluado con un sistema espectrométrico y cuenta con una resolución energética de 180 eV para la línea de 5,9 KeV de la fuente de Fe-55, lo que ha permitido trabajar con él en fluorescencia de rayos X dispersiva en energía. |
| 国: | Portal de Revistas TEC |
| 機関: | Instituto Tecnológico de Costa Rica |
| Repositorio: | Portal de Revistas TEC |
| 言語: | Español |
| OAI Identifier: | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article/2861 |
| オンライン･アクセス: | https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2861 |