Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN
Tallennettuna:
| Tekijät: | , , |
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| Aineistotyyppi: | artículo original |
| Tila: | Versión publicada |
| Julkaisupäivä: | 2016 |
| Kuvaus: | Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición. |
| Maa: | Portal de Revistas TEC |
| Organisaatio: | Instituto Tecnológico de Costa Rica |
| Repositorio: | Portal de Revistas TEC |
| Kieli: | Español |
| OAI Identifier: | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article/2855 |
| Linkit: | https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855 |