Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN

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מידע ביבליוגרפי
Autores:	Díaz-García, Angelina, Cabal-Rodríguez, Ana Ester, Suárez-Caner, Eugenio
פורמט:	artículo original
סטטוס:	Versión publicada
Fecha de Publicación:	2016
תיאור:	Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición.
País:	Portal de Revistas TEC
מוסד:	Instituto Tecnológico de Costa Rica
Repositorio:	Portal de Revistas TEC
שפה:	Español
OAI Identifier:	oai:ojs.pkp.sfu.ca:article/2855
גישה מקוונת:	https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855