Evaluación y selección de la primera cascada del preamplificador de retroalimentación óptica para detector de silicio-litio fabricado en el CEADEN
Đã lưu trong:
| Nhiều tác giả: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | artículo original |
| Trạng thái: | Versión publicada |
| Ngày xuất bản: | 2016 |
| Miêu tả: | Se describen las principales características de los transistores de efecto de campo (FET) y diodos emisores de luz (LED) que permiten obtener una buena resolución energética en los detectores de SILI para fluorescencia de rayos X. Se exponen los valores de transconductancia (dl/dV) y corriente compuerta (lgss) para 16 FET investigados, así como los circuitos que se utilizaron para la medición. |
| Quốc gia: | Portal de Revistas TEC |
| Tổ chức giáo dục: | Instituto Tecnológico de Costa Rica |
| Repositorio: | Portal de Revistas TEC |
| Ngôn ngữ: | Español |
| OAI Identifier: | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article/2855 |
| Truy cập trực tuyến: | https://revistas.tec.ac.cr/index.php/tec_marcha/article/view/2855 |