Modulación de propiedades optoelectrónicas en compuestos con esqueletos SI–SI: síntesis y caracterización de ciclohexasilanos y oxatetrasilaciclopentanos sustituidos con grupos fenilo y Tert-Butilo
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| Autores: | , |
|---|---|
| Formato: | tesis de maestría |
| Fecha de Publicación: | 2026 |
| Descripción: | El silicio ha sido un pilar en el desarrollo de materiales para la industria electrónica, tanto por su abundancia, como por la versatilidad de sus propiedades optoelectrónicas. Además del silicio cristalino utilizado en la industria, existen grupos de compuestos moleculares basados en enlaces Si–Si cuyo comportamiento electrónico puede modularse mediante cambios estructurales finos. En esta Tesis se estudiaron las rutas sintéticas de ciclosilanos y oxatetrasilaciclopentanos altamente sustituidos y su respectiva caracterización estructural y espectroscópica, con el fin de comprender cómo la geometría de anillo, la naturaleza y posición de los sustituyentes o la presencia de heteroátomos influyen en sus propiedades optoelectrónicas. El primer apartado de la Tesis se centró en la síntesis del ciclohexasilano 48. Se logró aislar los isómeros cis y trans, cuyas diferencias estructurales se observaron a través del análisis por RMN, UV-Vis y DRX. La comparación entre isómeros permitió observar cómo pequeñas variaciones estructurales repercuten en las transiciones electrónicas. El segundo apartado abordó la formación de los oxatetrasilaciclopentanos cis‑89 y trans‑89, derivados de la hidrólisis controlada del bistriflato electrofílico 90. La incorporación del átomo de O en el anillo introdujo nuevas dinámicas electrónicas, observables en los espectros de RMN, UV-Vis y en los cálculos computacionales teóricos. Estos resultados mostraron como la presencia del heteroátomo modifica la naturaleza de las transiciones electrónicas, abriendo posibilidades para el diseño de materiales con respuestas ópticas ajustables. Finalmente, se exploró la reactividad de 90 con el anión PCO─, con el objetivo de evaluar la viabilidad de introducir átomos de fósforo en esqueletos de silicio lineales. Aunque las condiciones estudiadas condujeron principalmente a procesos de hidrólisis y formación de geles, los experimentos permitieron identificar la presencia de compuestos fosforados y establecer parámetros críticos para futuras optimizaciones. Este estudio preliminar sienta las bases para rutas sintéticas que permitan expandir la química de ciclosilanos hacia sistemas con heteroátomos con potencial en aplicaciones optoelectrónicas. En conjunto, esta Tesis aporta una visión integrada de cómo la estructura molecular gobierna las propiedades electrónicas en ciclosilanos y oxatetrasilaciclopentanos, y abre caminos para el diseño racional de nuevos materiales basados en silicio. |
| País: | Kérwá |
| Institución: | Universidad de Costa Rica |
| Repositorio: | Kérwá |
| Lenguaje: | Español |
| OAI Identifier: | oai:kerwa.ucr.ac.cr:10669/104120 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/10669/104120 |
| Palabra clave: | ciclosilanos polisilanos conjugación sigma semiconductores |