Diodos láser de alta potencia
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| Autor: | |
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| Formato: | artículo original |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de Publicación: | 2011 |
| Descripción: | La tecnología del LASER Semiconductor o Diodo LASER se ha vuelto muy especializada. Los primeros diodos LASER se hicieron para uso general con un empaque similar a las carcazas metálicas de los transitores estándar. Algunos diodos LASER de próposito general todavían se hacen, pero la mayoría se construyen y empacan con alguna aplicación específica en mente. Se han diseñado y fabricado en años recientes muchas estructuras diferentes de LASER semiconductor con el fin de incrementar la potencia óptica de salida. Algunos grupos han reportado el desarrollo de arreglos de dispositivos LASER capaces de producir cientos de miliwats de potencia (1,2). De hecho, la mayoría de la investigación actual en el área de los diodos LASER de alta potencia parece dirigida hacia los arreglos LASER. En este documento se revisa brevemente los tipos de estructuras básicas de los diodos LASER de inyección y se discuten los principios de operación de alta potencia. Se hace énfasis en el desarrollo de diodos LASER semiconductores de franja amplia como una alternativa a los emisores de arreglo en fase dando una alta potencia óptima en onda continua. Finalmente, se reporta acerca de un LASER de inyección de franja ancha tipo GRIN-SCH que ha sido recientemente fabricado en "The Center for High Technology Materials, University of New Mexico", Albuquerque, New Mexico, E.U., donde estudié mi posgrado y trabajé en investigación. |
| País: | Portal de Revistas UCR |
| Institución: | Universidad de Costa Rica |
| Repositorio: | Portal de Revistas UCR |
| Lenguaje: | Español |
| OAI Identifier: | oai:portal.ucr.ac.cr:article/7604 |
| Acceso en línea: | https://revistas.ucr.ac.cr/index.php/ingenieria/article/view/7604 |
| Palabra clave: | diodos láser semiconductor inyección |